Semiconductor power device and method of making the same

Abstract

Abstract Translated from French Ce semi-conducteur est du type multicellulaire, qui présente, en surface d'un substrat (10) une pluralité de zones diffusées et de zones d'émergence du substrat ordonnées les unes par rapport aux autres en un réseau de cellules alternativement de types N et P, les cellules de chaque type étant toutes reliées en parallèle pour définir une des bornes du composant. Selon l'invention, deux nappes conductrices (30, 50) recouvrent l'ensemble du réseau et assurent la mise en parallèle de toutes les cellules d'un même type. Ces deux nappes s'interpénètrent dans une zone frontière (ZF), de manière que chacune des demi-nappes supérieure soit reliée à la demi-nappe inférieure située de l'autre côté de cette zone frontière. En surface, le composant présente deux grandes plages (50e, 50b) reliées chacune à toutes les cellules d'un même type, et correspondant respectivement à l'électrode d'émetteur (ou de cathode) et à l'électrode de base (ou de gâchette) du composant. This semiconductor is of the multicellular type, which has, on the surface of a substrate (10) a plurality of diffused zones and of emergence zones of the substrate ordered with respect to each other in an alternately network of cells of types N and P, the cells of each type being all connected in parallel to define one of the terminals of the component. According to the invention, two conductive layers (30, 50) cover the entire network and ensure the paralleling of all cells of the same type. These two layers interpenetrate in a border zone (ZF), so that each of the upper half-layers is connected to the lower half-layer situated on the other side of this border zone. On the surface, the component has two large areas (50e, 50b) each connected to all the cells of the same type, and corresponding respectively to the emitter electrode (or cathode) and to the base electrode (or trigger) of the component.

Inventors

• 👤 Pierre Rossetti

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