Integrated semiconductor circuit having an interconnection layer consisting of an aluminium/silicon alloy

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit einem aus Silizium bestehenden Halbleitersubstrat, in dem und auf dem die die Schaltung bildenden Elemente erzeugt sind. Die Kontaktleiterbahnebene besteht aus einer Aluminium/Silizium/Titan-Legierung mit einem Anteil von 1 bis 2% Silizium und einem Titanzusatz von kleiner 0,5%. Durch diese Metallisierung wird die Zuverlässigkeit und Belastbarkeit von elektrischen Leiterbahnen für VLSI-Systeme erhöht. The invention relates to an integrated circuit with a semiconductor substrate consisting of silicon, in and on which the elements forming the circuit are produced. The contact conductor level consists of an aluminum / silicon / titanium alloy with a share of 1 to 2% silicon and a titanium addition of less than 0.5%. This metallization increases the reliability and resilience of electrical conductor tracks for VLSI systems.

Inventors

• 👤 Franz Dr. Ing. Phys. Fischer

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