Hyperfrequency diode structure having its external connections attached to two metallic beam leads

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne les diodes dont les connexions sont prises par poutres à plat (beam-lead). La technique des poutres comme connexions d'accès est très intéressante mais présente un inconvénient dans le domaine des hyperfréquences: comme elles sont couchées sur une même face de la pastille de semiconducteur, il se forme des capacités parasites. Selon l'invention, les deux poutres (11, 12) sont parallèles entre elles, et elles sont entretoisées par la pastille de diode (10) et par un plot de verre (13) éloigné de la diode (10). Les contacts sont donc pris sur la diode (10) sur ses deux faces principales. La pastille de diode est limitée à sa seule section utile: sa surface ne joue plus le rôle de support mécanique. Une poutre peut être en deux parties (12, 14) qui constituent un condensateur de liaison. Application aux composants en Si ou GaAs, dans les hyperfréquences. The invention relates to diodes whose connections are taken by flat beams (beam-lead). The beam technique as access connections is very interesting but has a drawback in the microwave domain: as they are lying on the same face of the semiconductor wafer, parasitic capacitances are formed. According to the invention, the two beams (11, 12) are mutually parallel, and they are braced by the diode pad (10) and by a glass pad (13) remote from the diode (10). The contacts are therefore taken on the diode (10) on its two main faces. The diode patch is limited to its only useful section: its surface no longer plays the role of mechanical support. A beam can be in two parts (12, 14) which constitute a connecting capacitor. Application to components in Si or GaAs, in microwaves.

Inventors

• 👤 Raymond Henry

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