Compact combiner of semiconductor devices operating in the microwave domain

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un combineur de dispositifs semiconducteurs hyperfréquences, diodes ou transistors, montés selon une topologie qui permet d'en regrouper plusieurs sur une embase prévue pour un seul dispositif. Les dispositifs semiconducteurs (1) à l'état solide dissipent peu d'énergie, et sont associés à des lignes microbandes (71). Pour augmenter la puissance dissipée en regroupant une pluralité de pastilles semiconductrices sans changer l'embase (10), il est nécessaire de pouvoir replier les lignes microbandes (71) ou les raccourcir. Un substrat (12) très mince (H<λg/40) permet de diminuer la largeur des microbandes (71), pour une même impédance. Un matériau à constante diélectrique très élevée ε > 35, pour le substrat (12) permet de diminuer la longueur des microbandes (71), placées concentriques autour des pastilles. Applications aux dispositifs émettant plusieurs dizaines de watts hyperfréquences : radars, faisceaux hertziens. The invention relates to a combiner of microwave semiconductor devices, diodes or transistors, mounted according to a topology which makes it possible to group several of them on a base provided for a single device. The semiconductor devices (1) in the solid state dissipate little energy, and are associated with microstrip lines (71). To increase the dissipated power by grouping a plurality of semiconductor pads without changing the base (10), it is necessary to be able to fold the microstrip lines (71) or shorten them. A very thin substrate (12) (H <λg / 40) makes it possible to reduce the width of the microstrips (71), for the same impedance. A material with a very high dielectric constant ε> 35, for the substrate (12) makes it possible to reduce the length of the microstrips (71), placed concentric around the pellets. Applications to devices emitting several tens of watts microwave: radars, radio-relay systems.

Inventors

• 👤 Alain Bert
• 👤 Narguise Mamodaly

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