Process for making an integrated-circuit field oxide

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un procédé de réalisation de l'oxyde de champ d'un circuit intégré. The invention relates to a method for producing the field oxide of an integrated circuit. Ce procédé comprend les étapes successives suivantes: réalisation d'une gravure anisotrope, sur une hauteur h, d'une région (20b) d'un substrat (20) semiconducteur dopé, dans laquelle on va réaliser l'oxyde de champ; implantation d'ions dans ladite région (20b) du substrat restante, donnant un dopage du même type que celui du substrat; dépôt d'une couche d'oxyde (32) sur l'ensemble du substrat; dépôt d'une couche de résine (34) sur la couche d'oxyde, et réalisation d'une gravure simultanée de la couche de résine et de la couche d'oxyde jusqu'à élimination totale de la région (32a) de la couche d'oxyde, située au-dessus d'une autre région (20a) du substrat dans laquelle sera réalisé le composant actif du circuit intégré. This method comprises the following successive steps: producing an anisotropic etching, over a height h, of a region (20b) of a doped semiconductor substrate (20), in which the field oxide will be produced; implantation of ions in said region (20b) of the remaining substrate, giving doping of the same type as that of the substrate; depositing an oxide layer (32) on the entire substrate; depositing a resin layer (34) on the oxide layer, and carrying out a simultaneous etching of the resin layer and the oxide layer until total elimination of the region (32a) of the layer of oxide, located above another region (20a) of the substrate in which the active component of the integrated circuit will be produced.

Inventors

• 👤 Pierre Jeuch
• 👤 Pierre Parrens

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