Reactor and process for the manufacture of semiconductor silicon

Abstract

Abstract Translated from German Vorliegende Erfindung behandelt ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial, vorzugsweise Silicium und einen Reaktor zur Durchführung dieses Verfahrens, bei dem ein Gemisch aus gasförmigen Verbindungen dieses Halbleitermaterials und Wasserstoff auf einem Trägermaterial, das auf die Zersetzungstemperatur dieser gasförmigen Verbindungen erhitzt ist, thermisch zersetzt wird. Das Trägermaterial liegt in Form dünner Stäbe vor; es befindet sich innerhalb einer Vorrichtung mit einer kühlbaren metallischen Grundplatte und einer Glocke mit einer äußeren und inneren Wand. Zwischen diesen Wänden zirkuliert eine Kühlflüssigkeit. Die Verbesserung besteht darin, daß die Grundplatte und die Glocke aus rostfreiem Stahl hergestellt sind, dessen innerere Oberfläche spiegelblank poliert ist. Das bevorzugte Kühlmedium ist ein Wärmeübertragungsöl. The present invention relates to a process for the production of semiconductor material, preferably silicon, and a reactor for carrying out this process, in which a mixture of gaseous compounds of this semiconductor material and hydrogen on a carrier material which is heated to the decomposition temperature of these gaseous compounds is thermally decomposed. The carrier material is in the form of thin rods; it is located within a device with a coolable metallic base plate and a bell with an outer and inner wall. A coolant circulates between these walls. The improvement is that the base plate and the bell are made of stainless steel, the inner surface of which is polished to a mirror finish. The preferred cooling medium is a heat transfer oil.

Inventors

• 👤 Romano Amaduzzi
• 👤 Luigi Curatolo
• 👤 Pietro Scandola

Bibliographic Details