Process for the simultaneous production of hyperfrequency diodes having an incorported encapsulation and diodes made by said process

Abstract

Abstract Translated from French L'invention se rapporte aux dispositifs semi-conducteurs à jonction et à leur procédé de fabrication. The invention relates to semiconductor junction devices and their manufacturing process. L'invention a pour objet une diode fabriquée par un procédé collectif dans laquelle la jonction est limitée à sa partie active (7) et est insérée dans un diélectrique (10) servant de support qui évite l'usage d'un boîtier. The invention relates to a diode manufactured by a collective process in which the junction is limited to its active part (7) and is inserted into a dielectric (10) serving as a support which avoids the use of a housing. L'invention s'applique notamment à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs à avalanche, à effet Gunn, aux diodes mélangeuses et aux diodes varicap. The invention applies in particular to the manufacture of avalanche semiconductor devices, with Gunn effect, with mixing diodes and varicap diodes.

Inventors

• 👤 Raymond Henry
• 👤 Michel Heitzmann

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