Method of manufacturing a metallisation on a semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from German Die die Grundlage für Leitbahnen der insbesondere als IC ausgestalteten Halble i tervorrichtung bildende und aus homogenem Metall, insbesondere aus Aluminium bestehende Metallisierung wird in zwei aufeinanderfolgenden Schritten aufgebracht und dann durch lokalisierte Ätztechnik strukturiert. Während des ersten Schrittes wird die Substrattemperatur wesentlich höher äls während des zweiten Schrittes eingestellt. Außerdem werden während des ersten Schrittes wenigstens 60% und während des zweiten Schrittes mindestens 10% der Metallisierung aufgebracht. Als Vorteil dieses Zweistufenverfahrens ist eine wesentlich bessere Strukturierbarkeit zu verzeichnen. Außerdem haben die Leitbahnen im Vergleich zu Leitbahnen, deren Metallisierung in einem einzigen Schritt aufgebracht wurde eine bessere Stromtragfähigkeit. The basis for the interconnects designed in particular as an IC Halble i tervorrichtung and forming of a homogeneous metal, in particular aluminum-based metallization is applied in two successive steps, and then patterned by localized etching technique. During the first step, the substrate temperature is set much higher than during the second step. In addition, at least 60% of the metallization is applied during the first step and at least 10% during the second step. The advantage of this two-step process is that it can be structured much better. In addition, the interconnects have better current carrying capacity compared to interconnects, the metallization of which was applied in a single step.

Inventors

• 👤 Hermann Ing.-Grad. Kinzel

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