Monolitic input stage for an optical receiver

Abstract

Abstract Translated from German Die vorliegende Erfindung betrifft eine monolithisch aufgebaute Eingangsstufe eines optischen Empfängers, bestehend aus einer PIN-Photodiode und einem daran angeschlossenen Feldeffekttransistor. Die PIN-Photodiode, . welcher eine Absorptionszone für die optische Strahlung aus GaInAsP und einen aus PIN-Schichten gebildeten pn-Übergang besitzt, ist gemeinsam mit dem Feldeffekttransistor auf einen halbisolierenden InP-Substrat angeordnet. The present invention relates to a monolithically constructed input stage of an optical receiver, consisting of a PIN photodiode and a field effect transistor connected to it. The PIN photodiode,. which has an absorption zone for the optical radiation from GaInAsP and a pn junction formed from PIN layers, is arranged together with the field effect transistor on a semi-insulating InP substrate.

Inventors

• 👤 Bernhard Dr.-Ing. Schwaderer

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