Electrically insulating encapsulating substance for semiconductor devices

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft eine elektrisch isolierende Einkapselungsmasse für Halbleiteranordnungen bestehend aus einer Mischung eines Harzes und eines anorganischen Füllstoffes, bei der der Füllstoff eine aus mindestens einer leicht flüchtigen Siliciumhalogenidverbindung hergestellte Siliciumverbindung ausgewählt aus der Gruppe der Siliciumoxide, der Siliciumoxidhydrate und der Siliciumnitride oder eine aus einer flüchtigen Aluminiumhalogenidverbindung hergestellte Aluminiumverbindung ausgewählt aus der Gruppe der Aluminiumoxide und der Aluminiumhydroxide ist. The invention relates to an electrically insulating encapsulation compound for semiconductor devices consisting of a mixture of a resin and an inorganic filler, in which the filler is a silicon compound made from at least one volatile silicon halide compound selected from the group of silicon oxides, silicon oxide hydrates and silicon nitrides or one from a volatile one Aluminum halide compound produced aluminum compound is selected from the group of aluminum oxides and aluminum hydroxides.

Inventors

• 👤 Erich Dr. Chem. Pammer

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