Input circuit for an integrated monolithic semiconductor memory using field effect transistors

Abstract

Abstract Translated from German Es wird eine Eingangsschaltung für einen Feldeffekttransistor (FET)-Speicher beschrieben, die aus einem Bootstrap-Inverter (1 bis 8) besteht, der durch eine dynamisch arbeitende Vorladeschaltung (10 bis 12) zum Vorladen des Bootstrap-Knotens (23) auf die volle Betriebsspannung ergänzt ist und die ohne Zwischenschalten eines aus bipolaren Transistoren aufgebauten Pegelumsetzers direkt mit TTL-Pegeln angesteuert werden kann. Dazu ist die Eingangselektrode des Kondensators (12) der dynamisch arbeitenden Vorladeschaltung an den Ausgang (17) eines auf die Eingangsschaltung folgenden Inverters (16) angeschlossen. Ferner ist ein Entladezweig (13, 14, 15) vorgesehen für den Knoten (20) der dynamisch arbeitenden Vorladeschaltung. Der Entladezweig ist mit seinem anderen Ende zusammen mit dem Gate des Vorlade-Feldeffekttransistors (11) der dynamischen Vorladeschaltung an den Ausgang (19) eines weiteren, auf den ersten folgenden Inverters (18) angeschlossen. Dadurch wird gewährleistet, daß bei dem durch den Bootstrap-Effekt bewirkten Anstieg des Potentials des Bootstrap-Knotens (23) über den Wert VH der Betriebsspannung sich dieser Knoten nicht über den FET 10 zum positiven Pol der Betriebsspannungsquelle entladen kann. Diese würde nämlich dem Potentialanstieg des Bootstrap-Knotens (23) entegegenwirken, so daß das Potential des Ausgangs (8) der Eingangsschaltung nur langsam ansteigen und nicht den vollen Wert VH der Betriebsspannung erreichen würde. An input circuit for a field effect transistor (FET) memory is described, which consists of a bootstrap inverter (1 to 8), which is precharged by a dynamically operating precharge circuit (10 to 12) for precharging the bootstrap node (23) Operating voltage is supplemented and can be controlled directly with TTL levels without interposing a level converter made up of bipolar transistors. For this purpose, the input electrode of the capacitor (12) of the dynamically operating precharge circuit is connected to the output (17) of an inverter (16) following the input circuit. A discharge branch (13, 14, 15) is also provided for the node (20) of the dynamically operating precharge circuit. The other end of the discharge branch is connected together with the gate of the precharge field-effect transistor (11) of the dynamic precharge circuit to the output (19) of a further inverter (18) following the first. This ensures that when the potential of the bootstrap node (23) rises above the value VH of the operating voltage, this node cannot discharge itself via the FET 10 to the positive pole of the operating voltage source in the event of the bootstrap effect. This would counteract the potential increase of the bootstrap node (23), so that the potential of the output (8) of the input circuit only increases slowly and would not reach the full value VH of the operating voltage.

Inventors

• 👤 Werner Haug
• 👤 Rainer Clemen

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