Photosensitive semiconductor resistor

Abstract

Abstract Translated from German Photoempfindlicher Halbleiterwiderstand mit einem einkristallinen Halbleiterkörper eines Leitungstyps, der an zwei einander gegenüberliegenden Flächen sperrfrei mit einem Anodenkontakt und mit einem Kathodenkontakt versehen ist, ist so ausgebildet, daß der Kathodenkontakt eine hochdotierte Zone vom gleichen Leitungstyp wie der Halbleiterkörper ist. Der Halbleiterkörper ist dabei mit der diesen Kathodenkontakt tragenden Fläche der Photonenstrahlung aussetzbar. Die zwischen der Fläche des Kathodenkontaktes und der Fläche des Anodenkontaktes ist mindestens tausendmal größer als die Fläche der hochdotierten Oberflächenzone des Kathodenkontaktes. Ein solcher photoempfindlicher Halbleiterwiderstand ist leicht herstellbar und weist sowohl eine geringe Trägheit als auch eine gute Empfindlichkeit auf. Photosensitive semiconductor resistor with a single-crystalline semiconductor body of a conduction type, which is provided with an anode contact and a cathode contact on two opposite surfaces without blocking, is designed such that the cathode contact is a highly doped zone of the same conduction type as the semiconductor body. The semiconductor body can be exposed to the surface carrying this cathode contact of the photon radiation. The area between the surface of the cathode contact and the surface of the anode contact is at least a thousand times larger than the surface of the highly doped surface zone of the cathode contact. Such a photosensitive semiconductor resistor is easy to manufacture and has both low inertia and good sensitivity.

Inventors

• 👤 Helmut Ewaldt
• 👤 Heinz Sauermann
• 👤 Gerhard Dr. Raabe
• 👤 Rainer Burmeister

Bibliographic Details