Integrated cirucit with a programmable non-volatile semiconductor memory

Abstract

Abstract Translated from German Es wird eine Schaltung mit einer Überwachungsschaltung für die Programmierspannung Vp der in einer integrierten Schaltung angeordneten Feldeffekt-Speichertranistoren angegeben, deren Schwellspannungen unter Verwendung einer mitintegrierten Programmierlogik veränderbar sind, welche an einer Versorgungsspannung Vdd kleiner als die Programmierspannung Vp liegt und die zum Programmieren der Speichertransistoren mindestens beim Schreiben mittels eines kurzzeitig angelegten Schreibimpulses dient. Die Überwachungsschaltung enthält einen Schwellwertschalter, dessen Spannungsversorgungsanschluß (1) an der Programmierspannung Vp liegt und dessen Referenzspannung an einer Referenzquelle (I) gegen das Substrat abgegriffen wird. Die Referenzspannungsquelle (I) enthält eine in Sperrichtung durchbrechende integrierte Zenerdiode oder eine Reihenschaltung von mehreren in Sperrichtung durchbrechende integrierte Zenerdioden. Ein Schutz gegen unbeabsichtigt auftretende Programmierungsimpulse, welche beim ungewollten und unbeabsichtigten Abschalten der Spannungsversorgung auftreten können, wird dadurch erreicht, daß das Ausgangssignal des Schwellwertschalters (II) mittels einer geeigneten Überwachungslogik die Wortleitung (WL1...WLn), mit denen wortweise die Gate-Elektroden der Speichertransistoren verbunden sind, mit der Substratzone der Programmierlogik verbindet. A circuit with a monitoring circuit for the programming voltage Vp of the field-effect memory transistors arranged in an integrated circuit is specified, the threshold voltages of which can be changed using integrated programming logic, which is lower than the programming voltage Vp at a supply voltage Vd and which is at least for programming the memory transistors serves when writing by means of a briefly applied write pulse. The monitoring circuit contains a threshold switch whose voltage supply connection (1) is connected to the programming voltage Vp and whose reference voltage is tapped against the substrate at a reference source (I). The reference voltage source (I) contains an integrated Zener diode breaking through in the reverse direction or a series connection of several integrated Zener diodes breaking through in the reverse direction. Protection against unintentionally occurring programming pulses, which can occur when the power supply is switched off unintentionally and unintentionally, is achieved in that the output signal of the threshold switch (II) by means of suitable monitoring logic uses the word line (WL1 ... WLn), with which the gate word Electrodes of the memory transistors are connected to the substrate zone of the programming logic.

Inventors

• 👤 Klaus Dr. Rer. Nat. Dipl.-Phys. Wilmsmeyer

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