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EP0036494A2 Expired / Lapsed EP ⏱️ 0.0 years remaining

Integrated MOS semiconductor circuit

Assignee: Siemens AG
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Filing: 1981-02-24
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Granted: —
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Expires: 2001-02-24
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Abstract

Abstract Translated from German Bei monolithisch integrierten digitalen Halbleiterschaltungen auf MOS-Basis mit einem Taktgeber und zwei durch je ein extern zugeführtes Betriebspotential beaufschlagten Versorgungsanschlüssen ist es wünschenswert, wenn der Taktgeber erst nach dem Aufbau der Substratvorspannung aktiviert wird. Die Erfindung befaßt sich mit der Aufgabe, eine hierzu geeignete Schaltung anzugeben. In the case of monolithically integrated digital semiconductor circuits based on MOS, with a clock generator and two supply connections, each of which is supplied with an externally supplied operating potential, it is desirable if the clock generator is only activated after the substrate bias has been built up. The invention is concerned with the task of specifying a circuit suitable for this purpose. Die Erfindung betrifft eine integrierte MOS-Schaltung der genannten Art, bei der durch je ein von einer Gleichspannungsquelle geliefertes Betriebspotential beaufschlagte Versorgungsanschlüsse mit wenigstens je einer leitenden Verbindung an die eigentliche digitale Halbleiterschaltung (ES) und an den Taktgeber (TG) gelegt sind, wobei erfindungsgemäß ein Oszillator (O) zur Steuerung eines Substratvorspannungsgenerators (SE) vorgesehen ist. Dieser Substratvorspannungsgenerator hat neben dem Aufbau der Substratvorspannung die Aufgabe, den Betrieb des Taktgebers (TG) so zu steuern, daß die Aktivierung des Taktgebers (TG) erst nach Vollendung des Aufbaus der Substratvorspannung (V BB ) erfolgt. The invention relates to an integrated MOS circuit of the type mentioned, in which supply connections with at least one conductive connection, each supplied with an operating potential supplied by a DC voltage source, are connected to the actual digital semiconductor circuit (ES) and to the clock generator (TG), according to the invention an oscillator (O) for controlling a substrate bias generator (SE) is provided. In addition to the construction of the substrate bias, this substrate bias generator has the task of controlling the operation of the clock generator (TG) in such a way that the activation of the clock generator (TG) takes place only after the construction of the substrate bias voltage (V BB ) has been completed.

Inventors

  • 👤 Kurt Dr. Hoffmann
  • 👤 Dieter Dipl.-Ing. Kantz

Bibliographic Details

Application Number —
Jurisdiction EP
Data Source google_patents
Last Synchronized 2026-11-08 16:55
CPC Classifications
G; G05; G05F; G05F3/00; G05F3/02; G05F3/08; G05F3/10; G05F3/16; G05F3/20; G05F3/205

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