Process for putting a self-aligning gate electrode in a V-MOS field-effect transistor

Abstract

Abstract Translated from German Verfahren zum Herstellen von selbstaugerichteten Leitern in vertikalen, integrierten Halbleitervorrichtungen mit V-förmigen, oder rechteckigen Vertiefungen auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats durch Niederschlagen einer leitenden Schicht über der Oberfläche einschließlich der Vertiefung, und Aufbringen eines eine Maske bildenden Materials über der leitenden Schicht bis eine ebene Oberfläche gebildet ist, sowie durch selektives Abätzen der Maskenschicht, bis nur noch eine Maskenschicht innerhalb der Vertiefung verbleibt und anschließend durch selektives Abätzen der danach freiliegenden Teile der leitenden Schicht. A method of making self-aligned conductors in vertical integrated semiconductor devices with V-shaped or rectangular recesses on a surface of a semiconductor substrate by depositing a conductive layer over the surface including the recess, and applying a masking material over the conductive layer to a plane Surface is formed, as well as by selective etching of the mask layer until only one mask layer remains within the recess and then by selective etching of the parts of the conductive layer which are then exposed.

Inventors

• 👤 Richard Raymond Garnache
• 👤 Donald Mcalpine Kenney

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