Method for producing a bipolar transistor

Abstract

Abstract Translated from German Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, schnelle bipolare Transistoren anzugeben, die sowohl eine große Stromverstärkung und kleine Basislaufzeit für den inneren Basisteilbereich haben als auch in den äußeren Basisbereichen, die zu den Basiskontakten hinführen, einen minimalen Bahnwiderstand und eine gute Sperrcharakteristik der Emitter-Basisdiode aufweisen. Erfindungsgemäß wird der Basisbereich der Transistoren in einen ersten Teilbereich, den inneren Teilbereich, der unterhalb des Emitterbereichs liegt, und in einen zweiten Teilbereich, den äußeren Teilbereich, der alle übrigen Basisbereiche umfaßt und insbesondere unterhalb des Basiskontaktes liegt, aufgeteilt und jeder der Teilbereiche hinsichtlich seiner Dotierung getrennt optimiert. Anwendung bei schnellen bipolaren Transistoren. The invention is based on the object of specifying fast bipolar transistors which have both a large current gain and a short base runtime for the inner base partial region and also have a minimal path resistance and a good blocking characteristic of the emitter base diode in the outer base regions leading to the base contacts . According to the invention, the base region of the transistors is divided into a first sub-region, the inner sub-region, which lies below the emitter region, and a second sub-region, the outer sub-region, which comprises all the other base regions and in particular lies below the base contact, and each of the sub-regions with regard to it Doping optimized separately. Application for fast bipolar transistors.

Inventors

• 👤 Ditmar Dr. Dipl.-Ing. Kranzer

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