Integratable circuit preventing the overdrive of a transistor

Abstract

Abstract Translated from German Bei Leistungstransistoren, z. B. in NF-Verstärkern, kann sich eine Übersteuerung in den Sättignungszustand nachteilig bemerkbar machen. Dem Problem ist man bisher durch eine Schottky-Diode bzw. ein Dioden-Netzwerk begegnet, indem man die Kollektor-Basisstrecke des Transistors durch die Diode bzw. Diodenkombination in geeigneter Weise überbrückt hat. Diese Lösungen führen jedoch zu einer unerwünschten Erhöhung des Aussteuerungsstromes bzw. der Ausgangsspannung des eingeschalteten Transistors. Die von der Erfindung vorgeschlagene Lösung vermeidet diese Nachteile und führt auch zu einer im Vergleich zu den mit Dioden arbeitenden Lösungen Vereinfachungen bei der Realisierung in monolithisch-integrierter-Halbleitertechnik. Die Erfindung sieht die Verwendung eines zu dem vor Übersättigung zu schützenden Transistor komplementären Transistors T1 vor, der so an den zu schützenden Transistor T2 angeschaltet ist, daß er den zur Sättigung führenden Überhang des den zu schützenden Transistor steuernden Stroms abfängt und vom Transistor T2 fernhält. For power transistors, e.g. B. in NF amplifiers, overdriving in the saturation state can be disadvantageous. The problem has hitherto been countered by a Schottky diode or a diode network in that the collector base path of the transistor has been bridged in a suitable manner by the diode or diode combination. However, these solutions lead to an undesirable increase in the modulation current or the output voltage of the switched-on transistor. The solution proposed by the invention avoids these disadvantages and also leads to simplifications in the implementation in monolithically integrated semiconductor technology compared to the solutions working with diodes. The invention provides for the use of a transistor T1 which is complementary to the transistor to be protected from oversaturation and which is connected to the transistor T2 to be protected in such a way that it intercepts the overhang leading to saturation of the current controlling the transistor to be protected and keeps it away from the transistor T2.

Inventors

• 👤 Günter Ing. grad. Pohl
• 👤 Gerald Dipl.-Ing. Mündel

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