Method of making a Schottky diode with improved voltage properties

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un procédé pour réaliser une diode Schottky à tenue en tension améliorée. The invention relates to a method for producing a Schottky diode with improved voltage withstand. Selon ce procédé pour accroître la tenue en tension d'une diode Schottky comportant une couche épitaxiale (13) située sur un substrat (12) et portant une couche d'oxyde (14) ou appauvrit la zone de charge d'espace sur le pourtour de la diode par modification locale (zones 16 et 17) du dopage de la couche (13) par l'implantation d'ions (15). According to this method for increasing the voltage withstand of a Schottky diode comprising an epitaxial layer (13) located on a substrate (12) and carrying an oxide layer (14) or depletes the space charge area around the periphery of the diode by local modification (zones 16 and 17) of the doping of the layer (13) by the implantation of ions (15). Application notamment aux circuits à semiconducteurs de détection ou de mélange HF. Application in particular to semiconductor HF detection or mixing circuits.

Inventors

• 👤 Marcel Roche
• 👤 Jean-Paul Litot

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