Interconnection device for integrated semiconductor circuits, and process for its manufacture

Abstract

Abstract Translated from French Procédé de fabrication de circuits intégrés dans lequel les interconnexions sont formées de lignes conductrices comportant du silicium polycristallin et un siliciure de métal. La source (18) et le drain (19) d'un transistor à effet de champ sont recouverts des couches (2) en silicium polycristallin, (3) en siliciture métallique et (5) en oxyde. La région de canal (6) est revêtue d'une couche d'oxyde (10) recouverte d'une électrode de porte (20, 21) en polysilium/siliciure. De telles lignes conductrices composites présentent l'avantage d'avoir une conductivité élevée et une capacité parasite réduite. A method of manufacturing integrated circuits in which the interconnections are formed of conductive lines comprising polycrystalline silicon and a metal silicide. The source (18) and the drain (19) of a field effect transistor are covered with layers (2) of polycrystalline silicon, (3) of metallic siliciture and (5) of oxide. The channel region (6) is coated with an oxide layer (10) covered with a door electrode (20, 21) made of polysilium / silicide. Such composite conductive lines have the advantage of having a high conductivity and a reduced parasitic capacity.

Inventors

• 👤 Billy Lee Crowder
• 👤 Arnold Reisman

Bibliographic Details