Field-effect transistor with high cut-off frequency and method of making it

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne les dispositifs à fréquence de coupure élevée et plus particulièrement les transistors à effet de champ à hétérojonction à accumulation de porteurs majoritaires. Les transistors selon l'invention utilisent les propriétés des jonctions GaAs/AlxGa1-xAs de même type, dopées N, GaAs étant faiblement dopé, favorables à une grande mobilité des charges dans la couche d'accumulation : une structure selon laquelle les régions de source et de drain sont partiellement recouvertes par la région de grille, elle-même recouverte par une couche d'isolant, diminue les résistances d'accès et augmente les fréquences de transition. Application aux transistors hyperfréquences pour télécommunications et circuits intégrés. The invention relates to devices with a high cut-off frequency and more particularly to heterojunction field effect transistors with majority carrier accumulation. The transistors according to the invention use the properties of GaAs / AlxGa1-xAs junctions of the same type, N-doped, GaAs being lightly doped, favorable to high charge mobility in the accumulation layer: a structure according to which the source regions and drain are partially covered by the gate region, itself covered by an insulating layer, decreases the access resistances and increases the transition frequencies. Application to microwave transistors for telecommunications and integrated circuits.

Inventors

• 👤 Daniel Delagebeaudeuf
• 👤 Trongh Linh Nuyen

Bibliographic Details