Three-layer semiconductor diode and its application

Abstract

Abstract Translated from German Halbleiter-Diode (1, 10) mit 3-Schichten-Struktur (2, 34; 12, 13, 14), deren mittlere Schicht (3; 13) so dünn gewählt ist, daß bei der gegebenen Dotierung dieser Schicht der genannte Bereich dieser Schicht schon ohne angelegte Spannung an freien Ladungsträgern verarmt ist. Bevorzugte Verwendung eine solchen Diode als Detektor und als modulierbare Lumineszenzdiode. Semiconductor diode (1, 10) with a 3-layer structure (2, 34; 12, 13, 14), the middle layer (3; 13) of which is selected to be so thin that, given the doping of this layer, said area of this layer Layer is already depleted of free charge carriers without applied voltage. Preferred use of such a diode as a detector and as a modulatable luminescent diode.

Inventors

• 👤 Hermann Dr. Mader

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