Method of forming fine connection holes

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 テーパ形状となることを防止し、微細化の要 求にこたえることができる微細接続孔の形成方法を提供 する。 【解決手段】 シリコン基板１０１の上に２つのゲート 電極１１０ａ，１１０ｂを水平距離を隔てて形成する。 サイドウォール膜１０５を形成したのち層間絶縁膜１０ ６を形成する。その上に多結晶シリコン膜１０７を形成 し、選択的にエッチングして開口１０７ａを形成する。 その上に多結晶シリコン膜１０８を形成したのち、Ｏ 2 の流量比を高くしてエッチバックを行い内壁堆積膜１０ ９が内側面に生成されたサイドウォール膜１０８を形成 する。このサイドウォール膜１０８が形成された多結晶 シリコン膜１０７をエッチングマスクとしてエッチング を行い、２つのゲート電極１１０ａ，１１０ｂの間の層 間絶縁膜１０６に微細接続孔を形成する。 (57) [Problem] To provide a method for forming a fine connection hole which can prevent a tapered shape and can meet a demand for miniaturization. SOLUTION: Two gate electrodes 110a and 110b are formed on a silicon substrate 101 at a horizontal distance. After forming the sidewall film 105, the interlayer insulating film 10 is formed. 6 is formed. A polycrystalline silicon film 107 is formed thereon and selectively etched to form an opening 107a. After forming a polycrystalline silicon film 108 thereon, O 2 The etch-back is performed by increasing the flow rate ratio of the 9 forms the formed sidewall film 108 on the inner surface. Etching is performed using the polycrystalline silicon film 107 on which the sidewall film 108 is formed as an etching mask to form a fine connection hole in the interlayer insulating film 106 between the two gate electrodes 110a and 110b.

Inventors

• 👤 Tetsuji Nagayama
• 👤 哲治 長山

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