Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】配線のショートやエッチングストップの生じな い、配線の信頼性を確保した微細なコンタクトを有する 半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板１０上に絶縁膜２０を形成し、 絶縁膜上に第１マスク層２１を形成し、第１マスク層の 上層に第２マスク層２２を形成し、第２マスク層に第１ コンタクトホールＣＨ１を開口し、第１コンタクトホー ルの内壁に第１コンタクトホールの開口径を狭めるサイ ドウォールマスク層２３ａを形成し、第２マスク層およ び前記サイドウォールマスク層をマスクにして第１マス ク層に第１コンタクトホールと連通する第２コンタクト ホールＣＨ２を開口し、第２コンタクトホールが開口さ れた第１マスク層をマスクにして絶縁膜を貫通する第２ コンタクトホールを開口し、連通する第１コンタクトホ ールおよび第２コンタクトホールを導電体で埋め込み、 配線層３０を形成する。 (57) Abstract: Provided is a method for manufacturing a semiconductor device having a fine contact that ensures wiring reliability without causing a wiring short circuit or an etching stop. An insulating film is formed on a semiconductor substrate. The first mask layer 21 is formed on the insulating film, the second mask layer 22 is formed on the first mask layer, and the first mask layer 21 is formed on the second mask layer. A contact hole CH1 is opened, a sidewall mask layer 23a is formed on the inner wall of the first contact hole to reduce the opening diameter of the contact hole, and a first mask layer is formed using the second mask layer and the sidewall mask layer as masks. A second contact hole CH2 communicating with the first contact hole is opened, and a second mask penetrating the insulating film by using the first mask layer in which the second contact hole is opened as a mask. Opening a contact hole, filling the communicating first and second contact holes with a conductor, The wiring layer 30 is formed.

Inventors

• 👤 Yoshimasa Nakanishi
• 👤 賢真 中西
• 👤 Kojiro Nagaoka
• 👤 弘二郎 長岡
• 👤 Tadayuki Kimura
• 👤 忠之 木村

Bibliographic Details