Thin film capacitors

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 本発明は、比誘電率の大きなペロブスカイト 型酸化物誘電体を用いながら、絶縁特性の優れた薄膜キ ャパシタを提供することを目的とする。 【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物薄膜と、このペ ロブスカイト型酸化物薄膜を挟持する一対の電極膜とを 有する薄膜キャパシタにおいて、前記ペロブスカイト型 酸化物薄膜が、カラムナー構造の層とグラニュラー構造 の層の積層構造からなることを特徴とする薄膜キャパシ タ。 (57) Abstract: An object of the present invention is to provide a thin film capacitor having excellent insulation properties while using a perovskite oxide dielectric having a large relative dielectric constant. SOLUTION: In a thin film capacitor having a perovskite oxide thin film and a pair of electrode films sandwiching the perovskite oxide thin film, the perovskite oxide thin film is formed by stacking a layer having a columnar structure and a layer having a granular structure. A thin-film capacitor having a structure.

Inventors

• 👤 Shuji Sone
• 👤 修次 曽祢
• 👤 Yoshitake Katou
• 👤 芳健 加藤

Bibliographic Details