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JPH10200060A Expired / Lapsed JP ⏱️ 0.0 years remaining

Method for manufacturing ferroelectric capacitor

Assignee: Sony Corp
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Filing: 1997-01-14
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Granted: —
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Expires: 2017-01-14
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Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 分極オフセットが起きてもこれを抑えて使用 可能にすることのできる、強誘電体キャパシタの製造方 法の提供が望まれている。 【解決手段】 結晶化されてなる酸化物系強誘電体材料 を、活性化された酸素を含むガスでアニール処理する強 誘電体キャパシタの製造方法。活性化された酸素は、オ ゾンあるいはプラズマ化された酸素であるのが好まし い。また、オゾンあるいはプラズマ化された酸素である 場合、アニール処理におけるアニール温度を、300℃ 以上、500℃以下とするのが好ましい。 (57) [Problem] It is desired to provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor capable of suppressing the occurrence of a polarization offset and making it usable. A method of manufacturing a ferroelectric capacitor in which a crystallized oxide ferroelectric material is annealed with an activated oxygen-containing gas. Preferably, the activated oxygen is ozone or plasma oxygen. In the case of ozone or oxygen in the form of plasma, the annealing temperature in the annealing process is set to 300 ° C. As described above, the temperature is preferably set to 500 ° C. or lower.

Inventors

  • 👤 Koji Watabe
  • 👤 浩司 渡部
  • 👤 Naohiro Tanaka
  • 👤 均洋 田中
  • 👤 Hisayoshi Yamoto
  • 👤 久良 矢元

Bibliographic Details

Application Number —
Jurisdiction JP
Data Source google_patents
Last Synchronized 2026-11-09 03:35
CPC Classifications
—

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