Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing liquid crystal display device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 良好な不純物導入部を有することにより良好 な接合特性をもつ半導体装置の製造方法および表示品位 の高い液晶表示装置の製造方法を提供することを目的と している。 【構成】 シリコンを含む半導体膜に導入した不純物元 素を活性化する前に脱水素処理を行う。前記脱水素処理 によって、半導体膜中の水素量を５×１０ 19 個／ｃｍ 3 以下、特に好ましくは５×１０ 18 個／ｃｍ 3 以下にす る。特に、前記活性化はレーザ照射によって行い、前記 脱水素処理を３００〜５００℃の熱処理、特に好ましく は３５０〜４５０℃の熱処理によって行う。更には、前 記脱水素処理を、前記活性化を行う際のレーザ照射エネ ルギー密度より小さなエネルギー密度のレーザ照射によ って行う。 (57) [Summary] [Object] An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device having a good junction characteristic by having a good impurity introduction portion and a method of manufacturing a liquid crystal display device having a high display quality. [Structure] Dehydrogenation treatment is performed before activating an impurity element introduced into a semiconductor film containing silicon. By the dehydrogenation treatment, the amount of hydrogen in the semiconductor film was 5 × 10 19 pieces / cm 3 It is particularly preferably 5 × 10 18 pieces / cm 3 or less. In particular, the activation is performed by laser irradiation, and the dehydrogenation treatment is performed by heat treatment at 300 to 500 ° C, particularly preferably at 350 to 450 ° C. Further, the dehydrogenation treatment is performed by laser irradiation with an energy density smaller than the laser irradiation energy density used when performing the activation.

Inventors

• 👤 Atsushi Yoshinouchi
• 👤 淳 芳之内
• 👤 Goji Hosoda
• 👤 剛司 細田
• 👤 Tomohiko Yamamoto
• 👤 智彦 山本

Bibliographic Details