Microwave plasma processing equipment

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】 マイクロ波発振器２３とマイクロ波を伝送す る導波管２２と導波管２２に接続された誘電体線路２１ と誘電体線路２１に対向配置されたマイクロ波導入窓１ ４を有する反応器１１と反応器１１内に配設された試料 保持部１５ａと試料保持部１５ａに高周波を印加する高 周波電源１８とマイクロ波導入窓１４と試料保持部１５ ａとの間に設けられ、マイクロ波透過孔２４ａを有する アースされた導電体板２４とを備えたプラズマ処理装置 において、マイクロ波透過孔２４ａに誘電体板２４が配 設されているマイクロ波プラズマ処理装置。 【効果】 フッ素系ガス等の腐食系のガスを使用してエ ッチング等の処理を行っても、マイクロ波導入窓１４の エッチングを防止することができる。 (57) [Summary] [Configuration] A microwave oscillator 23, a waveguide 22 for transmitting microwaves, and a dielectric line 21 connected to the waveguide 22. And microwave introduction window 1 arranged opposite to the dielectric line 21 4, a sample holder 15a disposed in the reactor 11, a high frequency power source 18 for applying a high frequency to the sample holder 15a, a microwave introduction window 14, and a sample holder 15 and a grounded conductor plate 24 having a microwave transmitting hole 24a provided between the microwave plasma and the microwave transmitting hole 24a. Processing equipment. [Effect] Even if a treatment such as etching is performed using a corrosive gas such as a fluorine-based gas, etching of the microwave introduction window 14 can be prevented.

Inventors

• 👤 Koichi Iio
• 👤 浩一 飯尾
• 👤 Kyoichi Komachi
• 👤 恭一 小町
• 👤 Katsuo Katayama
• 👤 克生 片山
• 👤 Kenji Akimoto
• 👤 健司 秋元

Bibliographic Details