Insulated gate transistor drive circuit

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 コレクタ電流の遮断動作期間におけるサージ 電圧を抑制しながらスイッチング損失を低減することが できるＩＧＢＴ駆動回路を実現する。 【解決手段】 コレクタ電流の遮断過程をエミッタ−コ レクタ間電圧回復期間とコレクタ電流遮断期間に分け、 エミッタ−コレクタ間電圧回復期間にはゲート抵抗を小 さくし、コレクタ電流遮断期間にはゲート抵抗を大きく することによって遮断時間を短縮しスイッチング損失を 低減するとともにサージ電圧を抑制する。 (57) Abstract: An IGBT drive circuit capable of reducing switching loss while suppressing a surge voltage in a collector current cutoff operation period. A collector current cutoff process is divided into an emitter-collector voltage recovery period and a collector current cutoff period, By reducing the gate resistance during the emitter-collector voltage recovery period and increasing the gate resistance during the collector current cutoff period, the cutoff time is shortened, switching loss is reduced, and surge voltage is suppressed.

Inventors

• 👤 Satoshi Chikai
• 👤 智 近井
• 👤 Haruyoshi Mori
• 👤 治義 森
• 👤 Tomohiro Kobayashi
• 👤 知宏 小林

Bibliographic Details