Oxide film formation method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 良好な膜厚再現性を有し、且つＨやＯＨの取 り込みが抑制された酸化膜形成方法を提供する。 【解決手段】 処理チャンバ１内の半導体ウェハを酸化 雰囲気中で加熱して酸化膜を形成する酸化膜形成方法で あり、触媒作用で水素を化学的に活性化し得る反応器２ ６内に導入するとともにこの反応器２６を水素の発火点 以下の温度に加熱して水素ラジカルを生成し、この水素 ラジカルを処理チャンバ１内に導入される酸素と反応さ せて水を生成しつつ半導体ウェハ上に酸化膜を形成して 行く酸化膜形成方法である。 (57) An object of the present invention is to provide a method for forming an oxide film, which has good film thickness reproducibility and in which H and OH uptake is suppressed. Kind Code: A1 A method for forming an oxide film by heating a semiconductor wafer in a processing chamber in an oxidizing atmosphere to form an oxide film, which is capable of chemically activating hydrogen by a catalytic action. 6 while heating the reactor 26 to a temperature below the ignition point of hydrogen to generate hydrogen radicals, and reacting the hydrogen radicals with oxygen introduced into the processing chamber 1 to generate water. This is a method for forming an oxide film in which an oxide film is formed on a semiconductor wafer.

Inventors

• 👤 Yoshikazu Tanabe
• 👤 義和 田辺
• 👤 Satoru Sakai
• 👤 哲 酒井
• 👤 Nobuyoshi Kashu
• 👤 信義 夏秋

Bibliographic Details