Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】リセス幅を広げたショットキ障壁ゲート型ＦＥ Ｔを形成し、ゲート耐圧を向上させ、且つ、ゲート・ド レイン間容量の低減により高周波特性を向上させる。 【構成】ｎ型ＧａＡｓ層３の上に形成した酸化シリコン 膜４に設けた開口部に露出したｎ型ＧａＡｓ層３の面に 不活性ガスでプラズマ照射しダメージ層６を形成した 後、開口部の側壁に側壁スペーサを形成し酸化シリコン 膜および側壁スペーサをマスクとしてダメージ層６をｎ 型ＧａＡｓ層３を等方性エッチングし浅いリセス深さで ありながらリセス幅の広いリセス８を形成する。 (57) [Abstract] [Purpose] Schottky barrier gate type FE with wider recess width By forming T, the gate breakdown voltage is improved, and the high frequency characteristics are improved by reducing the gate-drain capacitance. [Structure] The surface of the n-type GaAs layer 3 exposed in the opening provided in the silicon oxide film 4 formed on the n-type GaAs layer 3 is plasma-irradiated with an inert gas to form a damage layer 6, and then the opening is formed. Side wall spacers are formed on the side walls of the silicon oxide film and the side wall spacers are used as masks to form the damage layer 6 in The type GaAs layer 3 is isotropically etched to form a recess 8 having a shallow recess depth but a wide recess width.

Inventors

• 👤 Yoichi Oikawa
• 👤 洋一 及川

Bibliographic Details