Method for manufacturing thin film transistor

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 単結晶膜に比べて結晶性に劣ったアモルファ スシリコン膜や多結晶シリコン膜を用いる薄膜トランジ スタの製造方法において、シリコン膜の結晶化とシリコ ン膜中に含まれる不純物の活性化のための熱処理時間を 短縮することを目的とする。 【構成】 単結晶膜に比べて結晶性に劣ったアモルファ スシリコン膜を比較的低温な４００℃で成膜した後、温 度６００℃、時間７５ｈｒで熱処理して、シリコン膜の 結晶化と活性化とを同時におこなう薄膜トランジスタの 製造方法とする。 (57) [Abstract] [Purpose] In a method of manufacturing a thin film transistor using an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film, which is inferior in crystallinity to a single crystal film, crystallization of a silicon film and impurities contained in the silicon film The purpose is to shorten the heat treatment time for activation. [Structure] An amorphous silicon film, which is inferior in crystallinity to a single crystal film, is formed at a relatively low temperature of 400 ° C. and then heat-treated at a temperature of 600 ° C. for 75 hours to crystallize and activate the silicon film. And a method of manufacturing a thin film transistor in which the above steps are performed simultaneously.

Inventors

• 👤 Naoya Sotani
• 👤 直哉 曽谷
• 👤 Hiroyoshi Hamada
• 👤 弘喜 浜田

Bibliographic Details