Method for forming insulating film and plasma vapor phase growth apparatus used for this method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 下地材料に対して損傷を与えることなく、弗 素を含む酸化硅素薄膜からなる絶縁膜を作成する。 【構成】 第一の発明では、酸素のプラズマに弗素を含 む硅素化合物ガスと水素を含む硅素化合物ガスとを混合 させて導入し、気相成長を利用して基板４０の表面に弗 素を含む酸化硅素薄膜を作成する。弗素を含む硅素化合 物と水素を含む硅素化合物との合計ガス流量に対する弗 素を含む硅素化合物ガスの流量は、５０％から１％の範 囲である。第二の発明では、酸素と水素のプラズマに弗 素を含む硅素化合物ガスを導入し、同様に弗素を含む酸 化硅素薄膜を作成する。弗素を含む硅素化合物のガス流 量に対する水素ガスの流量は、２００％から４００％の 範囲である。 (57) [Abstract] [Purpose] To create an insulating film made of a silicon oxide thin film containing fluorine without damaging the underlying material. According to the first aspect of the present invention, oxygen plasma is mixed with a fluorine-containing silicon compound gas and a hydrogen-containing silicon compound gas and is introduced, and vapor deposition is used to oxidize fluorine on the surface of the substrate 40. Create a silicon thin film. The flow rate of the fluorine-containing silicon compound gas with respect to the total gas flow rate of the fluorine-containing silicon compound and the hydrogen-containing silicon compound is in the range of 50% to 1%. In the second invention, a fluorine-containing silicon compound gas is introduced into oxygen and hydrogen plasma to similarly form a fluorine-containing silicon oxide thin film. The flow rate of hydrogen gas with respect to the gas flow rate of a silicon compound containing fluorine is in the range of 200% to 400%.

Inventors

• 👤 Yoshihiro Tamura
• 👤 好宏 田村

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