Semiconductor device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 アクティブマトリクス回路とそれを駆動する ための周辺論理回路を結晶性ＴＦＴにより同一基板上に 作製する。 【構成】 結晶化を助長する触媒元素（例えばニッケ ル）非晶質珪素膜を導入する際に、周辺論理回路領域に 非選択的に触媒元素を導入することにより、縦成長に結 晶化を進行させる。他方、アクティブマトリクス回路領 域には，選択的に触媒元素を導入することによって、横 成長により結晶化を進行させる。この結果、それぞれの 回路に適したＴＦＴを形成することができ、特にアクテ ィブマトリクス回路には、オフ電流が小さく、かつ、そ のバラツキも少ないＴＦＴを作製できる。 (57) [Summary] [Objective] An active matrix circuit and a peripheral logic circuit for driving the same are formed on the same substrate by a crystalline TFT. [Structure] When a catalyst element (for example, nickel) amorphous silicon film that promotes crystallization is introduced, the catalyst element is introduced non-selectively into the peripheral logic circuit region to promote crystallization in vertical growth. . On the other hand, the catalytic element is selectively introduced into the active matrix circuit region to promote crystallization by lateral growth. As a result, a TFT suitable for each circuit can be formed, and in particular, an active matrix circuit can be manufactured with a small off-current and a small variation.

Inventors

• 👤 Kouyuu Chiyou
• 👤 宏勇 張

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