Etching method using vapor phase chemical reaction

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 気相化学反応を用いたエッチング方法に関 し、プラズマ反応を用いることなく、且つ、処理温度を 上げることなく、一つのエッチングガス系のみを用いて 各種の被エッチング部材を効率良くエッチングする。 【構成】 ＣｌＦ 3 とＨ + 源となるＮＨ 3 ガスとの混合 ガス９を用いて被エッチング部材であるＴｉＮ膜４を軽 くエッチングして、ＴｉＮ膜４表面の自然酸化膜を除去 する。 (57) [Abstract] [Purpose] Regarding an etching method using a gas phase chemical reaction, various members to be etched using only one etching gas system without using a plasma reaction and without increasing a processing temperature. To efficiently etch. [Structure] The TiN film 4, which is the member to be etched, is lightly etched using a mixed gas 9 of ClF 3 and NH 3 gas that is an H + source to remove the natural oxide film on the surface of the TiN film 4.

Inventors

• 👤 Hisaya Suzuki
• 👤 寿哉 鈴木

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