Semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 樹脂モールドに対して応力耐性をより高く し、かつ、紫外線照射効率を高くすることを目的とす る。 【構成】 酸化膜２，アルミ配線３，アルミボンディン グパッド３ａ，シリコン窒化膜４，トランジスタ６など があらかじめ形成されている半導体基板１上に、末端に 水素原子をもち側鎖にメチル基をもつシリコーンラダー 系樹脂からなる樹脂膜５を形成する。 (57) [Summary] [Purpose] The objective is to further increase the stress resistance of the resin mold and the ultraviolet irradiation efficiency. [Structure] On a semiconductor substrate 1 on which an oxide film 2, an aluminum wiring 3, an aluminum bonding pad 3a, a silicon nitride film 4, a transistor 6 and the like are formed in advance, a silicone having a hydrogen atom at a terminal and a methyl group at a side chain. A resin film 5 made of a ladder resin is formed.

Inventors

• 👤 Etsushi Adachi
• 👤 悦志 足立
• 👤 Hiroshi Adachi
• 👤 廣士 足達
• 👤 Shigeyuki Yamamoto
• 👤 茂之 山本
• 👤 Hiroyuki Nishimura
• 👤 浩之 西村
• 👤 Shintarou Minami
• 👤 伸太朗 南
• 👤 Susumu Tajima
• 👤 享 田島
• 👤 Hiroshi Tobimatsu
• 👤 博 飛松

Bibliographic Details