Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 これまで微細加工が極めて困難であった白 金、銅等の貴金属薄膜のドライエッチングにおいて、高 異方性エッチングを容易に実現する。 【構成】 銅膜等の微細加工において、塩素等のハロゲ ンガス、ヘキサフルオロアセチルアセトン（ｈｆａｃ） などのβ−ジケトン、ハロゲン化合物に対し還元性のあ るアンモニア等を含むガスを用いてドライエッチングす る。その際、プラズマはパルス変調放電で生成し、ハロ ゲンガスの供給はパルス変調放電に同調させるように行 う。またパルス幅は、銅膜中のハロゲン元素の拡散によ りサイドエッチングが入らないように設定する。銅膜の 表面には、ハロゲン元素によりハロゲン化合物が形成さ れ、さらに還元性ガス、β−ジケトンとハロゲン化合物 の反応により飽和蒸気圧の高い銅錯体が形成・蒸発す る。以上のサイクルを銅膜が完全にエッチング除去され るまで繰り返す。 (57) [Abstract] [Purpose] Highly anisotropic etching can be easily realized in dry etching of a noble metal thin film of platinum, copper, etc., which has been extremely difficult to perform fine processing. [Structure] Halogen gas such as chlorine, hexafluoroacetylacetone (hfac) in fine processing of copper film, etc. Dry etching is performed using a gas containing β-diketone, ammonia having a reducing property with respect to halogen compounds, and the like. At that time, plasma is generated by pulse modulation discharge, and halogen gas is supplied so as to be synchronized with the pulse modulation discharge. The pulse width is set so that side etching does not occur due to the diffusion of the halogen element in the copper film. A halogen compound is formed on the surface of the copper film by the halogen element, and a copper complex having a high saturated vapor pressure is formed and evaporated by the reaction of the reducing gas and β-diketone with the halogen compound. The above cycle is repeated until the copper film is completely removed by etching.

Inventors

• 👤 Takeshi Tokashiki
• 👤 健 渡嘉敷

Bibliographic Details