Dry etching method

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 Ｓｉ系材料層のドライエッチングにおいて、 パターンの疎密に起因する同一チップ内でのエッチング 速度の不均一化とパターン断面形状のばらつきを抑制す る。 【構成】 Ｗ−ポリサイド膜５をエッチングする際に、 Ｆ * を主エッチング種とするジャストエッチング（Ｊ Ｅ）と、Ｃｌ + またはＢｒ + を主エッチング種とし、Ｓ ｉＯ x を側壁保護に用いるオーバーエッチング（ＯＥ） とを組み合わせる。ＪＥ工程ではラジカル入射量が多い パターンの疎な領域Ｉでエッチング速度が速く、ＯＥ工 程ではＳｉＯ x 堆積量の少ないパターンの密な領域IIで エッチング速度が速くなる。 【効果】 ＪＥ，ＯＥを通じて双方の領域Ｉ, IIでそれ ぞれエッチング速度の高低を相殺できるので、いずれの 領域でも異方性形状を有するゲート電極５ａが形成でき る。 (57) [Summary] [Purpose] In dry etching of Si-based material layers, It suppresses nonuniform etching rate and variation in pattern cross-sectional shape in the same chip due to pattern density. [Structure] When etching the W-polycide film 5, Just etching with F * as the main etching species (J E) and Cl + or Br + as main etching species, and S Over-etching (OE) using iO x for sidewall protection Combine with. In the JE process, the etching rate is fast in the sparse region I of the pattern where the radical incident amount is large, and in the OE process, the etching rate is fast in the dense region II of the pattern where the SiO x deposition amount is small. [Effect] Since the high and low etching rates can be canceled in both regions I and II through JE and OE, the gate electrode 5a having an anisotropic shape can be formed in either region.

Inventors

• 👤 Seiichi Fukuda
• 👤 誠一 福田
• 👤 Shingo Kadomura
• 👤 新吾 門村

Bibliographic Details