Switch device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 高周波の入力と出力の伝達特性を悪化させる ことなく正電圧制御を行い、セットでの単一電源動作を 実現できるスイッチ装置を提供する。 【構成】 ＭＥＳＦＥＴＱ 1 〜Ｑ 4 からなるダブルバラ ンス差動対結合構造において、ＭＥＳＦＥＴＱ 1 〜Ｑ 4 のソース端子を外部電圧印加端子Ｖ D に接続し、同ソー ス端子とドレイン端子を抵抗素子Ｒ 1 ，Ｒ 2 で接続して 両者を同電位とし、ドレイン端子に容量素子Ｃ 3 ，Ｃ 4 を介して高周波出力端子ＯＵＴ 1 ，ＯＵＴ 2 を設ける。 抵抗素子Ｒ 1 ，Ｒ 2 の抵抗値は１ＫΩ以上とする。 (57) [Summary] [Purpose] Deteriorating high-frequency input and output transfer characteristics Positive voltage control without a single power supply operation A switch device that can be realized is provided. [Structure] MESFETQ 1 ~ Q Four Double rose consisting of In the differential differential pair coupling structure, MESFETQ 1 ~ Q Four The source terminal of the external voltage applying terminal V D Connect to the same saw Connect the drain terminal to the resistor element R 1 , R 2 Connect with Both are set to the same potential, and the capacitive element C is connected to the drain terminal. 3 , C Four High-frequency output terminal OUT via 1 , OUT 2 To provide. Resistance element R 1 , R 2 Resistance value of 1KΩ or more.

Inventors

• 👤 Katsuji Tara
• 👤 勝司 多良
• 👤 Kaname Motoyoshi
• 👤 要 本吉

Bibliographic Details