Semiconductor device for wiring electromigration life test, manufacturing method thereof, and testing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】 配線部と配線幅より広い放熱部をもつエレク トロマイグレーション寿命測定パターン３を有する半導 体装置において、エレクトロマイグレーション寿命測定 パターン３上部の絶縁膜５を同時に形成された他の配線 ４の上部より薄くする叉は、絶縁膜５を除去したことを 特徴とする。 【効果】 絶縁膜を薄くしたことにより放熱効果が落ち るため、エレクトロマイグレーション寿命測定パターン の温度が上がる分高速にエレクトロマイグレーションが 測定できる。 (57) [Summary] [Structure] In a semiconductor device having an electromigration lifetime measurement pattern 3 having a wiring portion and a heat dissipation portion wider than the wiring width, another insulating film 5 on the electromigration lifetime measurement pattern 3 is formed at the same time. It is characterized in that it is made thinner than the upper portion of the wiring 4 or that the insulating film 5 is removed. [Effect] Since the heat dissipation effect is reduced by thinning the insulating film, the electromigration can be measured at high speed because the temperature of the electromigration life measurement pattern rises.

Inventors

• 👤 Mitsuru Sekiguchi
• 👤 満 関口
• 👤 Shin Hashimoto
• 👤 伸 橋本

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