Magnetoresistive element, magnetic thin film memory and magnetoresistive sensor using the magnetoresistive element

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 充分低磁界で高い抵抗変化率がえられると共 に、所望の抵抗変化特性がえられる、磁性薄膜メモリや 磁気抵抗センサ用のＭＲ素子を提供する。 【構成】 第１磁性層１と第２磁性層２とのあいだに非 磁性層４を挟んだ基本的に３層構造で形成される。たと えば磁性薄膜メモリ用のＭＲ素子とするばあいには第１ 磁性層１と第２磁性層２の磁化方向が、印加磁界が０の ときに平行または反平行になるように各磁性層を形成す る。また、必要に応じ第１磁性層１や第２磁性層２にバ ッファ層６やキャップ層７などの付加層が設けられ、Ｍ Ｒ効果を向上させたり、両磁性層の反転磁界を制御する ことができる。さらに非磁性層と第３磁性層を積層し、 基本的に５層構造としても充分低磁界で高いＭＲ効果を 有するＭＲ素子がえられる。 (57) [Summary] [Object] To provide an MR element for a magnetic thin film memory or a magnetoresistive sensor, which can obtain a high resistance change rate in a sufficiently low magnetic field and can obtain desired resistance change characteristics. [Structure] A non-magnetic layer 4 is sandwiched between a first magnetic layer 1 and a second magnetic layer 2 to form a basically three-layer structure. For example, in the case of an MR element for a magnetic thin film memory, Each magnetic layer is formed such that the magnetization directions of the magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2 are parallel or antiparallel when the applied magnetic field is zero. If necessary, additional layers such as the buffer layer 6 and the cap layer 7 are provided on the first magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2, and M It is possible to improve the R effect and control the switching magnetic fields of both magnetic layers. Furthermore, a non-magnetic layer and a third magnetic layer are laminated, Basically, even with a five-layer structure, an MR element having a sufficiently low magnetic field and a high MR effect can be obtained.

Inventors

• 👤 Yuji Kawano
• 👤 裕司 川野
• 👤 Tatsuya Fukami
• 👤 達也 深見
• 👤 Motohisa Taguchi
• 👤 元久 田口
• 👤 Kazuhiko Tsutsumi
• 👤 和彦 堤

Bibliographic Details