Nonvolatile semiconductor memory device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 （修正有） 【目的】 浮遊ゲ−ト端部の鋭角状の部分に電界集中が 発生することを防止する点。 【構成】 浮遊ゲ−ト１３に形成する窓上端付近を構成 する稜角を９０度以上の面とすること即ち丸みを帯びる ことにより電界集中による絶縁膜の耐圧リ−ク特性低下 などを防止する。 (57) [Summary] (Modified) [Purpose] To prevent electric field concentration from occurring in the acute-angled portion of the floating gate end. [Structure] By forming the ridge angle forming the vicinity of the upper end of the window formed in the floating gate 13 to be 90 degrees or more, that is, by making it round, it is possible to prevent deterioration of breakdown voltage leak characteristics of the insulating film due to electric field concentration.

Inventors

• 👤 Toshitaka Meguro
• 👤 寿孝 目黒

Bibliographic Details