Gas treatment apparatus and cleaning method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 ガス処理例えばＣＶＤ時に生成された反応生 成物が処理室内に付着すると汚染源になるため、これを 容易に洗浄すること。 【構成】 気密構造の処理室１の天井部に洗浄液の注入 口４及び通気口５を設けると共に、処理室１の底面に排 出口６を設け、これらに夫々バルブＶ４〜Ｖ６が介装さ れた洗浄液注入管４１、通気管５１及び洗浄液排出管６ １を接続する。ＣＶＤ処理後にバルブＶ４及びバルブＶ ５を開いて洗浄液例えば純水を処理室１内に注入して満 たし、これにより反応生成物例えばＮＨ 4 Ｃｌを加水分 解する。次いでバルブ６を開いて洗浄液を排出した後、 ヒータ７をオンにして処理室１内を加熱しながら、真空 ポンプ５１により処理室１内を真空排気する。 (57) [Summary] [Objective] The reaction product produced during gas processing, such as CVD, becomes a pollution source when it adheres to the processing chamber, so it should be easily cleaned. [Structure] An inlet 4 and a vent 5 for a cleaning liquid are provided on a ceiling portion of an airtight processing chamber 1, and an outlet 6 is provided on a bottom surface of the processing chamber 1, and valves V4 to V6 are provided in these, respectively. Cleaning liquid injection pipe 41, ventilation pipe 51 and cleaning liquid discharge pipe 6 Connect 1. Valve V4 and valve V after CVD processing 5 is opened to inject a cleaning liquid, for example, pure water, into the processing chamber 1 to fill it, thereby hydrolyzing a reaction product, for example, NH 4 Cl. Next, after opening the valve 6 to discharge the cleaning liquid, While the heater 7 is turned on to heat the inside of the processing chamber 1, the inside of the processing chamber 1 is evacuated by the vacuum pump 51.

Inventors

• 👤 Takayuki Oba
• 👤 隆之 大場
• 👤 Hisaya Suzuki
• 👤 寿哉 鈴木
• 👤 Masashi Murakami
• 👤 誠志 村上

Bibliographic Details