Memory device refresh control circuit

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 リフレッシュ時間を短縮する。 【構成】 メモリモジュール使用頻度管理回路１は主制 御回路２からのモジュールアドレス信号に基づいてメモ リモジュールの使用頻度を計数する使用頻度カウンタ と、この使用頻度に基づいてセルフリフレッシュの有無 を表示するフラグをメモリモジュール対応で含む。タイ マー１０は、定期的リフレッシュが実行された時点でリ セットされてカウントを開始し、所定時間経過後に、主 制御回路２に解析起動信号を出力する。主制御回路２ は、解析起動信号に応答し、またフラグの内容に基づい て、使用頻度の低いメモリモジュールに対してセルリフ レッシュを実行させ、また、定期リフレッシュは、フラ グの内容がセルフリフレッシュ無を表示するメモリモジ ュールに対して行なう。 (57) [Summary] [Purpose] To shorten the refresh time. A memory module usage frequency management circuit 1 uses a usage frequency counter that counts the usage frequency of a memory module based on a module address signal from a main control circuit 2, and a flag that displays the presence or absence of self-refresh based on this usage frequency. Includes memory module support. The timer 10 is reset when the periodic refresh is executed and starts counting, and outputs an analysis start signal to the main control circuit 2 after a lapse of a predetermined time. Main control circuit 2 Responds to the analysis start signal, and causes the memory module with low frequency of use to perform cell refresh based on the content of the flag, and the periodic refresh is a memory module whose flag content indicates no self refresh. Do to.

Inventors

• 👤 Makoto Kuboya
• 👤 誠 久保谷

Bibliographic Details