Method for forming ZnO film for semiconductor photoelectric device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 半導体光電素子の電極部に透明で導電率の高いＺｎＯ膜 を設けた場合に問題となるコンタクト抵抗を低減する。 【構成】 面発光型発光ダイオードのキャップ層上にス パッタリングによってＺｎＯ膜を形成した後、８００℃ 程度に５分保持してアニールする。 (57) [Summary] A contact resistance, which is a problem when a transparent and highly conductive ZnO film is provided in an electrode portion of a semiconductor photoelectric device, is reduced. [Structure] After forming a ZnO film on the cap layer of the surface emitting light emitting diode by sputtering, the temperature is 800 ° C. Hold for about 5 minutes and anneal.

Inventors

• 👤 Toshihiro Kato
• 👤 俊宏 加藤

Bibliographic Details