Charged particle beam exposure method and apparatus

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 本発明は荷電粒子ビーム露光方法及びその装 置に関し、ＢＡＡマスクの各開口を通って試料に照射さ れる荷電粒子ビーム強度を均一にでき、精度良くパター ンを描画できることを目的とする。 【構成】 ＢＡＡマスクの複数の開口を所定数を１単位 としてオンとするステップＳ４０と、試料上に到達する 電子ビームの強度を検出するステップＳ５０と、検出さ れた荷電粒子ビーム強度に応じて１単位の開口の駆動手 段のオン制御時に与えるオフセット電圧を算出するステ ップＳ６０とを有し、ＢＡＡマスクの複数の開口を通し て試料上に到達する荷電粒子ビームの強度を１単位毎に 略同一とすることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方 法。 (57) [Summary] [Object] The present invention relates to a charged particle beam exposure method and an apparatus therefor, wherein the charged particle beam intensity applied to a sample through each opening of a BAA mask can be made uniform, and a pattern can be drawn with high accuracy. With the goal. A step S40 of turning on a plurality of apertures of a BAA mask with a predetermined number as one unit, a step S50 of detecting the intensity of an electron beam reaching a sample, and a step S40 of detecting the intensity of a charged particle beam are performed. A step S60 of calculating an offset voltage applied when the driving means for the unit aperture is turned on, and the intensity of the charged particle beam reaching the sample through the plurality of apertures of the BAA mask is made substantially the same for each unit. And a charged particle beam exposure method.

Inventors

• 👤 Yoshihisa Daikyo
• 👤 義久 大饗
• 👤 Takamasa Sato
• 👤 高雅 佐藤
• 👤 Hiroshi Yasuda
• 👤 洋 安田

Bibliographic Details