Semiconductor wafer and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】（０００１）面サファイア基板の成長面を傾斜 することによって、ＧａＮエピタキシャル結晶の純度及 び結晶性を大幅に向上し、かつ高濃度ｐ型ＧａＮをアズ グロウンの状態で得る。 【構成】サファイア単結晶基板の（０００１）面を＜２ １* １* ０＞方向もしくは＜０１１* ０＞方向に数度傾 けて鏡面研磨することにより、微傾斜（０００１）面サ ファイア単結晶基板４とする。微傾斜（０００１）面５ には多くのステップ６が存在する。このためステップ端 を基点としたＧａＮエピタキシャル結晶２のステップフ ローモード成長が容易に実現する。その結果、結晶欠陥 が大幅に低減する。 (57) [Summary] [Objective] By tilting the growth plane of a (0001) plane sapphire substrate, the purity and crystallinity of a GaN epitaxial crystal are significantly improved, and a high concentration p-type GaN is obtained in an as-grown state. . [Structure] The (0001) plane of the sapphire single crystal substrate is set to <2. A slightly inclined (0001) plane sapphire single crystal substrate 4 is obtained by mirror-polishing with a tilt of several degrees in the 1 * 1 * 0> direction or the <011 * 0> direction. Slightly inclined (0001) surface 5 There are many steps 6 in. Therefore, step flow mode growth of the GaN epitaxial crystal 2 with the step end as a starting point is easily realized. As a result, crystal defects are significantly reduced.

Inventors

• 👤 Harunori Sakaguchi
• 👤 春典 坂口
• 👤 Ryuichi Nakazono
• 👤 隆一 中園
• 👤 Tsunehiro Unno
• 👤 恒弘 海野
• 👤 Shoji Kuma
• 👤 彰二 隈

Bibliographic Details