Method for plasma etching of oxide

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】ＩＣ構造上のステップの側壁に形成された窒化 物を含む窒化物に対して高い選択性を有する酸化物のプ ラズマエッチング方法を得ること。 【構成】窒化物の存在下で酸化物をエッチングするため のプラズマエッチング方法において、一以上のフッ素で 置換された炭化水素のエッチングガスとフッ素用のスカ ベンジャに一以上の水素含有ガスの追加、好ましくは一 以上のフルオロ炭化水素ガスを追加すると、基板表面の 窒化物部分の形状に無関係に窒化物に対して高い選択性 を生じる。好適な実施例においては、一以上の酸素担持 ガスがチャンバ表面及びエッチングされる表面上のポリ マ堆積速度を減少するために追加される。好ましくは、 フッ素スカベンジャはプラズマに関連した電気的に接地 された電極である。 (57) Abstract: [PROBLEMS] To obtain a plasma etching method of an oxide having high selectivity with respect to a nitride including a nitride formed on a sidewall of a step on an IC structure. A plasma etching method for etching an oxide in the presence of a nitride, wherein one or more fluorine-substituted hydrocarbon etching gases and one or more hydrogen-containing gases are added to the scavenger for fluorine, preferably The addition of one or more fluorohydrocarbon gases produces a high selectivity for nitride regardless of the shape of the nitride portion of the substrate surface. In the preferred embodiment, one or more oxygen-bearing gases are added to reduce the polymer deposition rate on the chamber and etched surfaces. Preferably, The fluorine scavenger is an electrically grounded electrode associated with the plasma.

Inventors

• 👤 Chan Lon Yang
• 👤 ロン ヤング チャン
• 👤 Jeffrey Marks
• 👤 マークス ジェフリー
• 👤 Nicolas Bright
• 👤 ブライト ニコラス
• 👤 Kenneth S Collins
• 👤 エス コリンズ ケニス
• 👤 David Groechel
• 👤 グローシェル ディヴィッド
• 👤 Peter Keswick
• 👤 ケズウィック ピーター

Bibliographic Details