Refractive index control optical semiconductor structure

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 少ない電流注入により屈折率を大きく変化さ せることのできる光半導体構造を提供する。 【構成】 半導体基板上に形成された屈折率制御半導体 層にキャリアを注入して屈折率変化をおこさせる屈折率 制御光半導体デバイスに於いて、屈折率制御半導体層 が、半導体量子井戸層と該半導体量子井戸層よりバンド ギャップの大きいバリア層とが交互に複数周期積層した 多重量子井戸構造２、３を含み、かつ前記半導体量子井 戸層が前記半導体基板よりも小さい格子定数を持ち、か つ前記半導体量子井戸層の層厚が、量子井戸層の最低次 ヘビーホールサブバンドと最低次ライトホールサブバン ドが波数空間のΓ点においてほぼ同じエネルギーを持つ ように設定されている。 (57) [Abstract] [Purpose] To provide an optical semiconductor structure capable of greatly changing the refractive index by injecting a small amount of current. In a refractive index control optical semiconductor device in which carriers are injected into a refractive index control semiconductor layer formed on a semiconductor substrate to change the refractive index, the refractive index control semiconductor layer includes a semiconductor quantum well layer and a semiconductor quantum well layer. The semiconductor quantum well layer includes multiple quantum well structures 2 and 3 in which barrier layers having a band gap larger than that of the semiconductor quantum well layer are alternately laminated for a plurality of periods, the semiconductor quantum well layer has a lattice constant smaller than that of the semiconductor substrate, and the semiconductor The layer thickness of the quantum well layer is set so that the lowest heavy hole subband and the lowest light hole subband of the quantum well layer have approximately the same energy at the Γ point in the wave number space.

Inventors

• 👤 Masaaki Nidou
• 👤 正明 仁道
• 👤 Akitaka Kimura
• 👤 明隆 木村

Bibliographic Details