Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【構成】 半導体装置の製造方法であって、不均一な厚 さを有するシリコン酸化膜１３をシリコン膜上１２に形 成する工程と、ＷＦ 6 を含むガスによってシリコン酸化 膜１３の少なくとも一部を還元し、かつ、ＷＦ 6 とシリ コン膜１２の露出した表面とを不均一に反応させなが ら、タングステン膜１４をシリコン膜１２上に成長させ る工程と、タングステン膜１４を除去する工程とを包含 する。 【効果】 再現性よく、シリコン膜１２の表面積を増加 することができる。 (57) Abstract: CONSTITUTION] A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of forming a silicon oxide film 13 having a non-uniform thickness to the silicon film 12, a silicon oxide film 13 by the gas containing WF 6 Of at least a part of the tungsten film 14 is reduced, and WF 6 and the exposed surface of the silicon film 12 are caused to react nonuniformly, and a step of growing the tungsten film 14 on the silicon film 12 and a step of removing the tungsten film 14. Includes and. [Effect] The surface area of the silicon film 12 can be increased with good reproducibility.

Inventors

• 👤 Hideji Hirao
• 👤 秀司 平尾
• 👤 Hisashi Ogawa
• 👤 久 小川
• 👤 Yuka Terai
• 👤 由佳 寺井
• 👤 Mitsuru Sekiguchi
• 👤 満 関口
• 👤 Isao Miyanaga
• 👤 績 宮永
• 👤 Masanori Fukumoto
• 👤 正紀 福本

Bibliographic Details