Film carrier and semiconductor device using the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 半導体素子配線のファインピッチ化や高密度 実装化、薄型化に充分に対応でき、しかも半導体素子の 封止に用いる絶縁性樹脂とフィルムキャリアとの間の密 着性に優れ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【構成】 導電回路５は、絶縁体層６の両面６ａ，６ｂ に露出しないように埋設されており、導電回路５の両面 ５ａ，５ｂから導通路７，８が、導電回路５の面方向に ずれて対をなして形成されている。各導通路７，８はバ ンプ９，１０にそれぞれ接続しており、導電回路５と各 バンプ９，１０とは、各導通路７，８を介して導通して いる。フィルムキャリア２の一方の導通路７の片端部に 形成されたバンプ９は、半導体素子３の電極１２に接触 して、電気的に接続され、フィルムキャリア２は半導体 素子３を搭載している。この半導体素子３を被覆するよ うに、絶縁体層６の片面６ａに接して、絶縁性樹脂層４ が形成されている。 (57) [Abstract] [Purpose] Adhesion between the insulating resin used to seal the semiconductor element and the film carrier, which can sufficiently support fine pitch, high-density mounting and thinning of semiconductor element wiring. An excellent semiconductor device with high reliability is provided. [Structure] The conductive circuit 5 includes both surfaces 6a and 6b of an insulator layer 6. The conductive paths 7 and 8 are formed so as not to be exposed to the outside, and the conductive paths 7 and 8 are formed from the both surfaces 5a and 5b of the conductive circuit 5 so as to be displaced in the surface direction of the conductive circuit 5. The conductive paths 7 and 8 are connected to the bumps 9 and 10, respectively, and the conductive circuit 5 and the bumps 9 and 10 are conductive via the conductive paths 7 and 8. The bump 9 formed on one end of the one conduction path 7 of the film carrier 2 is in contact with the electrode 12 of the semiconductor element 3 and electrically connected thereto, and the film carrier 2 has the semiconductor element 3 mounted thereon. The insulating resin layer 4 is in contact with the one surface 6a of the insulator layer 6 so as to cover the semiconductor element 3. Are formed.

Inventors

• 👤 Atsushi Hino
• 👤 敦司 日野
• 👤 Toshiki Naito
• 👤 俊樹 内藤
• 👤 Masakazu Sugimoto
• 👤 正和 杉本

Bibliographic Details